9 月 3 日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TechInsights 本周二發(fā)布的報(bào)告顯示，在 2024 年全球前 20 大半導(dǎo)體企業(yè)中，英特爾仍是最大研發(fā)（R&D）支出企業(yè)，三星電子研發(fā)支出增幅最大。

數(shù)據(jù)顯示，三星去年研發(fā)投入達(dá) 95 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 678.57 億元人民幣），較 2023 年的 55 億美元增長(zhǎng) 71.3%，排名從第七位升至第三位。

英特爾 2024 年投入 165.5 億美元（現(xiàn)匯率約合 1182.13 億元人民幣），但同比增幅僅為 3.1%，遠(yuǎn)低于同行。英偉達(dá)則以 125 億美元（現(xiàn)匯率約合 892.85 億元人民幣）位列第二，同比增長(zhǎng) 47%。

臺(tái)積電以 63.6 億美元（現(xiàn)匯率約合 454.28 億元人民幣）排名第七，同比增長(zhǎng) 8.8%。SK 海力士連續(xù)第二年位列第十，研發(fā)支出 33.3 億美元（現(xiàn)匯率約合 237.86 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 32.7%。

其中，英特爾作為唯一一家在美國(guó)本土同時(shí)進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)和制造的企業(yè)，目前重點(diǎn)投入在于提升其 18A 工藝的良率，但該公司去年仍錄得 188 億美元（現(xiàn)匯率約合 1342.85 億元人民幣）虧損。

整體來(lái)看，2024 年全球前 20 大半導(dǎo)體企業(yè)合計(jì)研發(fā)投入 986.8 億美元（現(xiàn)匯率約合 7048.52 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 17%，約占行業(yè)總研發(fā)支出的 96%。其中 15 家企業(yè)增加了投入，5 家則有所削減。

從研發(fā)投入與營(yíng)收占比來(lái)看，美國(guó)企業(yè)排名靠前，英特爾、博通、高通和 AMD 位居前列。前 20 家企業(yè)的平均比例為 15.8%。其中，三星為 11.7%，SK 海力士為 6.99%，為該組最低。其中 SK 海力士研發(fā)投入增長(zhǎng)逾 32%，但由于營(yíng)收幾乎翻倍，故研發(fā)投入占比反而有所下降。

TechInsights 預(yù)計(jì)，英偉達(dá)可能在明年超過(guò)英特爾，成為全球研發(fā)支出最高的半導(dǎo)體企業(yè)。英特爾去年將 33.6% 的營(yíng)收投入研發(fā)，但其新任 CEO 陳立武已開(kāi)始削減開(kāi)支。相比之下，英偉達(dá)將 1156.2 億美元營(yíng)收中的 10.8% 用于研發(fā)，并已連續(xù)四年大幅增加投資。

路透社上個(gè)月還報(bào)道稱，相對(duì)于英特爾的巨額投入，其 18A 工藝目前仍存在良率偏低的風(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù) X 用戶 @Kurnalsalts 分享的數(shù)據(jù)，Intel 18A 工藝的邏輯晶體管密度僅 184.21MTr / mm²，是同行之中最低的。此前 TechInsights 分析的數(shù)據(jù)卻顯示，在高密度邏輯單元晶體管密度方面，臺(tái)積電 2nm 為 313 MTr / mm²、Intel 18A 為 238 MTr / mm²，三星 2nm 則為 231 MTr / mm²。